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IRG4BC10K

IRG4BC10K

Solo per riferimento

Numero parte IRG4BC10K
PNEDA Part # IRG4BC10K
Descrizione IGBT 600V 9A 38W TO220AB
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.928
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 16 - mag 21 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IRG4BC10K Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIRG4BC10K
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo
Datasheet
IRG4BC10K, IRG4BC10K Datasheet (Totale pagine: 9, Dimensioni: 160,85 KB)
PDFIRG4BC10K Datasheet Copertura
IRG4BC10K Datasheet Pagina 2 IRG4BC10K Datasheet Pagina 3 IRG4BC10K Datasheet Pagina 4 IRG4BC10K Datasheet Pagina 5 IRG4BC10K Datasheet Pagina 6 IRG4BC10K Datasheet Pagina 7 IRG4BC10K Datasheet Pagina 8 IRG4BC10K Datasheet Pagina 9

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IRG4BC10K Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
Serie-
Tipo IGBT-
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)600V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)9A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)18A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.62V @ 15V, 5A
Potenza - Max38W
Switching Energy160µJ (on), 100µJ (off)
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge19nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C11ns/51ns
Condizione di test480V, 5A, 100Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)-
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-220-3
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220AB

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Produttore

IXYS

Serie

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Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

2500V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

116A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

750A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 64A

Potenza - Max

500W

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

400nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-

Condizione di test

-

Tempo di recupero inverso (trr)

160ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

ISOPLUSi5-Pak™

IRGP4069D-EPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

Trench

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

76A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

105A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.85V @ 15V, 35A

Potenza - Max

268W

Switching Energy

390µJ (on), 632µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

104nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

46ns/105ns

Condizione di test

400V, 35A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

120ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247AD

APT25GP90BG

Microsemi

Produttore

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Serie

POWER MOS 7®

Tipo IGBT

PT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

900V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

72A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

110A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.9V @ 15V, 25A

Potenza - Max

417W

Switching Energy

370µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

110nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

13ns/55ns

Condizione di test

600V, 25A, 5Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247 [B]

DGTD65T15H2TF

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo IGBT

Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

650V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

30A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 15A

Potenza - Max

48W

Switching Energy

270µJ (on), 86µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

61nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

19ns/128ns

Condizione di test

400V, 15A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

150ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

ITO-220AB

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

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600V

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