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IRFZ44VZS

IRFZ44VZS

Solo per riferimento

Numero parte IRFZ44VZS
PNEDA Part # IRFZ44VZS
Descrizione MOSFET N-CH 60V 57A D2PAK
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.330
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 20 - mag 25 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IRFZ44VZS Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIRFZ44VZS
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
IRFZ44VZS, IRFZ44VZS Datasheet (Totale pagine: 13, Dimensioni: 301,08 KB)
PDFIRFZ44VZL Datasheet Copertura
IRFZ44VZL Datasheet Pagina 2 IRFZ44VZL Datasheet Pagina 3 IRFZ44VZL Datasheet Pagina 4 IRFZ44VZL Datasheet Pagina 5 IRFZ44VZL Datasheet Pagina 6 IRFZ44VZL Datasheet Pagina 7 IRFZ44VZL Datasheet Pagina 8 IRFZ44VZL Datasheet Pagina 9 IRFZ44VZL Datasheet Pagina 10 IRFZ44VZL Datasheet Pagina 11

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IRFZ44VZS Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
SerieHEXFET®
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C57A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs12mOhm @ 34A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs65nC @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1690pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)92W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreD2PAK
Pacchetto / CustodiaTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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Produttore

Vishay Siliconix

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

55V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

30A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

24.5mOhm @ 18A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

27nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

740pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

48W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-251AA

Pacchetto / Custodia

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

FCPF250N65S3L1

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

SuperFET® III

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

650V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

12A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

250mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 1.2mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

24nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1010pF @ 400V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

31W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

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Pacchetto / Custodia

TO-220-3 Full Pack

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Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

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Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

117mOhm @ 1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.6V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

280pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

500mW (Ta)

Temperatura di esercizio

150°C

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

UFM

Pacchetto / Custodia

3-SMD, Flat Leads

HUF75321P3

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

UltraFET™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

55V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

35A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

34mOhm @ 35A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

44nC @ 20V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

680pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

93W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

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Pacchetto / Custodia

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-

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