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IRFU3707

IRFU3707

Solo per riferimento

Numero parte IRFU3707
PNEDA Part # IRFU3707
Descrizione MOSFET N-CH 30V 61A I-PAK
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.804
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 28 - mag 3 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IRFU3707 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIRFU3707
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
IRFU3707, IRFU3707 Datasheet (Totale pagine: 10, Dimensioni: 139,11 KB)
PDFIRFR3707TRR Datasheet Copertura
IRFR3707TRR Datasheet Pagina 2 IRFR3707TRR Datasheet Pagina 3 IRFR3707TRR Datasheet Pagina 4 IRFR3707TRR Datasheet Pagina 5 IRFR3707TRR Datasheet Pagina 6 IRFR3707TRR Datasheet Pagina 7 IRFR3707TRR Datasheet Pagina 8 IRFR3707TRR Datasheet Pagina 9 IRFR3707TRR Datasheet Pagina 10

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IRFU3707 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
SerieHEXFET®
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C61A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs13mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs19nC @ 4.5V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1990pF @ 15V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)87W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreIPAK (TO-251)
Pacchetto / CustodiaTO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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FDMS9410-F085

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

50A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.4mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

36nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1790pF @ 20V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

75W (Tj)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

Power56

Pacchetto / Custodia

8-PowerTDFN

EPC2031

EPC

Produttore

EPC

Serie

eGaN®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

GaNFET (Gallium Nitride)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

31A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.6mOhm @ 30A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 15mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 5V

Vgs (massimo)

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1800pF @ 300V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

Die

Pacchetto / Custodia

Die

Produttore

IXYS

Serie

HiPerFET™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

300V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

72A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

19mOhm @ 36A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 1.5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

82nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

5.4nF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

390W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

IPP065N06LGAKSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

80A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.5mOhm @ 80A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 180µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

157nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

5100pF @ 30V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

250W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

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Pacchetto / Custodia

TO-220-3

IPA80R310CEXKSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™ CE

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

800V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6.8A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

310mOhm @ 11A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.9V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

91nC @ 10V

Vgs (massimo)

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2320pF @ 100V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

35W (Tc)

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

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