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IRFU3504ZPBF

IRFU3504ZPBF

Solo per riferimento

Numero parte IRFU3504ZPBF
PNEDA Part # IRFU3504ZPBF
Descrizione MOSFET N-CH 40V 42A I-PAK
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.112
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 23 - mag 28 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IRFU3504ZPBF Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIRFU3504ZPBF
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo

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IRFU3504ZPBF Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
SerieHEXFET®
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C42A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs9mOhm @ 42A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs45nC @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1510pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)90W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreIPAK (TO-251)
Pacchetto / CustodiaTO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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Alpha & Omega Semiconductor

Produttore

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

SRFET™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

20A (Ta), 40A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.5mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

29nC @ 10V

Vgs (massimo)

±12V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4100pF @ 15V

Funzione FET

Schottky Diode (Body)

Dissipazione di potenza (max)

3.1W (Ta), 36W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-DFN (3x3)

Pacchetto / Custodia

8-PowerVDFN

IPS80R1K2P7AKMA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™ P7

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

800V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.5A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.2Ohm @ 1.7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 80µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

300pF @ 500V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

37W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO251-3

Pacchetto / Custodia

TO-251-3 Stub Leads, IPak

SPD04N60C3BTMA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

650V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.5A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

950mOhm @ 2.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.9V @ 200µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

490pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

50W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO252-3

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

SIR788DP-T1-GE3

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Produttore

Vishay Siliconix

Serie

SkyFET®, TrenchFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

60A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.4mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

75nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2873pF @ 15V

Funzione FET

Schottky Diode (Body)

Dissipazione di potenza (max)

5W (Ta), 48W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

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Pacchetto / Custodia

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

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Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

90A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.3mOhm @ 90A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 40µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

75nC @ 10V

Vgs (massimo)

±16V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

5680pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

79W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

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Pacchetto / Custodia

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