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IRFS644B_FP001

IRFS644B_FP001

Solo per riferimento

Numero parte IRFS644B_FP001
PNEDA Part # IRFS644B_FP001
Descrizione MOSFET N-CH 250V 14A TO-220F
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.436
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IRFS644B_FP001 Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIRFS644B_FP001
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
IRFS644B_FP001, IRFS644B_FP001 Datasheet (Totale pagine: 10, Dimensioni: 900,36 KB)
PDFIRFS644B_FP001 Datasheet Copertura
IRFS644B_FP001 Datasheet Pagina 2 IRFS644B_FP001 Datasheet Pagina 3 IRFS644B_FP001 Datasheet Pagina 4 IRFS644B_FP001 Datasheet Pagina 5 IRFS644B_FP001 Datasheet Pagina 6 IRFS644B_FP001 Datasheet Pagina 7 IRFS644B_FP001 Datasheet Pagina 8 IRFS644B_FP001 Datasheet Pagina 9 IRFS644B_FP001 Datasheet Pagina 10

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IRFS644B_FP001 Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)250V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C14A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs280mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs60nC @ 10V
Vgs (massimo)±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1600pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)43W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220F
Pacchetto / CustodiaTO-220-3 Full Pack

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IRFP7718PBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®, StrongIRFET™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

75V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

195A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.8mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.7V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

830nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

29550pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

517W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247AC

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

SI4172DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

15A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

12mOhm @ 11A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

23nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

820pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.5W (Ta), 4.5W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

FDMT800150DC

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

Dual Cool™, PowerTrench®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

150V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

15A (Ta), 99A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.5mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

108nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

8205pF @ 75V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3.2W (Ta), 156W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-Dual Cool™88

Pacchetto / Custodia

8-PowerVDFN

2N7002LT7G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

115mA (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.5Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

50pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

225mW (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23-3 (TO-236)

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

NVMFS5C426NWFAFT3G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

41A (Ta), 235A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.3mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

65nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4300pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3.8W (Ta), 128W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

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Pacchetto / Custodia

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