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IRFR320TR

IRFR320TR

Solo per riferimento

Numero parte IRFR320TR
PNEDA Part # IRFR320TR
Descrizione MOSFET N-CH 400V 3.1A DPAK
Produttore Vishay Siliconix
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.142
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 17 - lug 22 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IRFR320TR Risorse

Brand Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIRFR320TR
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
IRFR320TR, IRFR320TR Datasheet (Totale pagine: 11, Dimensioni: 799,79 KB)
PDFIRFR320TRR Datasheet Copertura
IRFR320TRR Datasheet Pagina 2 IRFR320TRR Datasheet Pagina 3 IRFR320TRR Datasheet Pagina 4 IRFR320TRR Datasheet Pagina 5 IRFR320TRR Datasheet Pagina 6 IRFR320TRR Datasheet Pagina 7 IRFR320TRR Datasheet Pagina 8 IRFR320TRR Datasheet Pagina 9 IRFR320TRR Datasheet Pagina 10 IRFR320TRR Datasheet Pagina 11

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IRFR320TR Specifiche

ProduttoreVishay Siliconix
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)400V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C3.1A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.8Ohm @ 1.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20nC @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds350pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)2.5W (Ta), 42W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreD-Pak
Pacchetto / CustodiaTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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AOY66923

Alpha & Omega Semiconductor

Produttore

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

AlphaSGT™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

16.5A (Ta), 58A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

11mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.6V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

35nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1725pF @ 50V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

6.2W (Ta), 73W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-251B

Pacchetto / Custodia

TO-251-3 Stub Leads, IPak

AO4474

Alpha & Omega Semiconductor

Produttore

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

13.4A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

11.5mOhm @ 13.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

28nC @ 10V

Vgs (massimo)

±12V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1452pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3.7W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

STI40N65M2

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

MDmesh™ M2

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

650V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

32A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

99mOhm @ 16A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

56.5nC @ 10V

Vgs (massimo)

±25V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2355pF @ 100V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

250W (Tc)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

I2PAK

Pacchetto / Custodia

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

CPH6341-M-TL-EX

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

*

Tipo FET

-

Tecnologia

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Pacchetto / Custodia

-

Produttore

IXYS

Serie

GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

75V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

480A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.9mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 8mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

545nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

41000pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

940W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-227B

Pacchetto / Custodia

SOT-227-4, miniBLOC

Venduto di recente

WSL0805R0500FEA

WSL0805R0500FEA

Vishay Dale

RES 0.05 OHM 1% 1/8W 0805

YC324-JK-075K1L

YC324-JK-075K1L

Yageo

RES ARRAY 4 RES 5.1K OHM 2012

YC324-JK-0710KL

YC324-JK-0710KL

Yageo

RES ARRAY 4 RES 10K OHM 2012

ASPIAIG-F7030-4R7M-T

ASPIAIG-F7030-4R7M-T

Abracon

FIXED IND 4.7UH 9A 26.7MOHM

744314150

744314150

Wurth Electronics

FIXED IND 1.5UH 13A 4.3 MOHM SMD

NFM21PC105B1C3D

NFM21PC105B1C3D

Murata

CAP FEEDTHRU 1UF 20% 16V 0805

BLM18PG471SN1D

BLM18PG471SN1D

Murata

FERRITE BEAD 470 OHM 0603 1LN

742792662

742792662

Wurth Electronics

FERRITE BEAD 1 KOHM 0603 1LN

ECLAMP2410P.TCT

ECLAMP2410P.TCT

Semtech

FILTER RC(PI) 45 OHM/12PF SMD

KT2520Y40000ECV28TBA

KT2520Y40000ECV28TBA

Kyocera

XTAL OSC TCXO 40.0000MHZ SNWV

7A-8.000MAAE-T

7A-8.000MAAE-T

TXC

CRYSTAL 8.0000MHZ 12PF SMD

A750KS337M1EAAE018

A750KS337M1EAAE018

KEMET

CAP ALUM POLY 330UF 20% 25V T/H