IRFP3306PBF
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| Numero parte | IRFP3306PBF |
| PNEDA Part # | IRFP3306PBF |
| Descrizione | MOSFET N-CH 60V 120A TO-247AC |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 51.642 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 29 - mag 4 (Scegli Spedizione rapida) |
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IRFP3306PBF Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | IRFP3306PBF |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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IRFP3306PBF Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | HEXFET® |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 60V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 120A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.2mOhm @ 75A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 150µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 120nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4520pF @ 50V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 220W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247AC |
| Pacchetto / Custodia | TO-247-3 |
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Produttore Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Tipo FET P-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 12.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.3mOhm @ 20A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 900mV @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 150nC @ 5V Vgs (massimo) ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 1.8W (Ta) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore PowerPAK® SO-8 Pacchetto / Custodia PowerPAK® SO-8 |
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