IRFP26N60LPBF
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| Numero parte | IRFP26N60LPBF |
| PNEDA Part # | IRFP26N60LPBF |
| Descrizione | MOSFET N-CH 600V 26A TO-247AC |
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 14.820 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 29 - giu 3 (Scegli Spedizione rapida) |
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IRFP26N60LPBF Risorse
| Brand | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | IRFP26N60LPBF |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
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IRFP26N60LPBF Specifiche
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 600V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 26A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 250mOhm @ 16A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 180nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5020pF @ 25V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 470W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247-3 |
| Pacchetto / Custodia | TO-247-3 |
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Produttore Infineon Technologies Serie HEXFET® Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 30A (Ta), 150A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.2mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.45V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 57nC @ 4.5V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5040pF @ 10V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore DIRECTFET™ MX Pacchetto / Custodia DirectFET™ Isometric MX |
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