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IRFL9014TRPBF

IRFL9014TRPBF

Solo per riferimento

Numero parte IRFL9014TRPBF
PNEDA Part # IRFL9014TRPBF
Descrizione MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223
Produttore Vishay Siliconix
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 309.396
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 19 - lug 24 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IRFL9014TRPBF Risorse

Brand Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIRFL9014TRPBF
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
IRFL9014TRPBF, IRFL9014TRPBF Datasheet (Totale pagine: 8, Dimensioni: 171,88 KB)
PDFIRFL9014PBF Datasheet Copertura
IRFL9014PBF Datasheet Pagina 2 IRFL9014PBF Datasheet Pagina 3 IRFL9014PBF Datasheet Pagina 4 IRFL9014PBF Datasheet Pagina 5 IRFL9014PBF Datasheet Pagina 6 IRFL9014PBF Datasheet Pagina 7 IRFL9014PBF Datasheet Pagina 8

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IRFL9014TRPBF Specifiche

ProduttoreVishay Siliconix
Serie-
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C1.8A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs500mOhm @ 1.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12nC @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds270pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)2W (Ta), 3.1W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-223
Pacchetto / CustodiaTO-261-4, TO-261AA

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

62A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

12.5mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

19nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1990pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

87W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

D2PAK

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

2SK4043LS

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

20A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

21mOhm @ 10A, 4V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

37nC @ 4V

Vgs (massimo)

±10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3000pF @ 20V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2W (Ta), 20W (Tc)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220FI(LS)

Pacchetto / Custodia

TO-220-3 Full Pack

SI7100DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

8V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

35A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.5mOhm @ 15A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

105nC @ 8V

Vgs (massimo)

±8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3810pF @ 4V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3.8W (Ta), 52W (Tc)

Temperatura di esercizio

-50°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

PowerPAK® 1212-8

Pacchetto / Custodia

PowerPAK® 1212-8

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

17A (Ta), 81A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.4mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 27µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

34nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2800pF @ 20V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.5W (Ta), 57W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

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Pacchetto / Custodia

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Serie

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Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

1000V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.8Ohm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 500µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

43nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1409pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

225W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

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Pacchetto / Custodia

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