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IRFI734GPBF

IRFI734GPBF

Solo per riferimento

Numero parte IRFI734GPBF
PNEDA Part # IRFI734GPBF
Descrizione MOSFET N-CH 450V 3.4A TO220FP
Produttore Vishay Siliconix
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.976
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 27 - lug 2 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IRFI734GPBF Risorse

Brand Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIRFI734GPBF
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
IRFI734GPBF, IRFI734GPBF Datasheet (Totale pagine: 8, Dimensioni: 846,62 KB)
PDFIRFI734GPBF Datasheet Copertura
IRFI734GPBF Datasheet Pagina 2 IRFI734GPBF Datasheet Pagina 3 IRFI734GPBF Datasheet Pagina 4 IRFI734GPBF Datasheet Pagina 5 IRFI734GPBF Datasheet Pagina 6 IRFI734GPBF Datasheet Pagina 7 IRFI734GPBF Datasheet Pagina 8

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IRFI734GPBF Specifiche

ProduttoreVishay Siliconix
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)450V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C3.4A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.2Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs45nC @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds680pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)35W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220-3
Pacchetto / CustodiaTO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

I prodotti a cui potresti essere interessato

FDMS86104

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

7A (Ta), 16A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

24mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

923pF @ 50V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.5W (Ta), 73W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-PQFN (5x6)

Pacchetto / Custodia

8-PowerTDFN

RFD14N05LSM9A

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

50V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

14A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

100mOhm @ 14A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

40nC @ 10V

Vgs (massimo)

±10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

670pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

48W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-252AA

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

TK14N65W,S1F

Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

DTMOSIV

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

650V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

13.7A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

250mOhm @ 6.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 690µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

35nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1300pF @ 300V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

130W (Tc)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

IRFU9214PBF

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

-

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

250V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.7A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3Ohm @ 1.7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

220pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

50W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-251AA

Pacchetto / Custodia

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

NVTFS5C471NLTAG

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

41A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 20µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

660pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

30W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-WDFN (3.3x3.3)

Pacchetto / Custodia

8-PowerWDFN

Venduto di recente

1N4937-E3/54

1N4937-E3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL

EVQ-PAC09K

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Panasonic Electronic Components

SWITCH TACTILE SPST-NO 0.02A 15V

FMR0H104ZF

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KEMET

CAPACITOR 0.1F 5.5V RADIAL

ESD5B5.0ST1G

ESD5B5.0ST1G

ON Semiconductor

TVS DIODE 5V SOD523

SCMT22F505PRBA0

SCMT22F505PRBA0

CAPACITOR 5F 20% 5.5V THRU HOLE

FDS6570A

FDS6570A

ON Semiconductor

MOSFET N-CH 20V 15A 8SOIC

TAJD337K010RNJ

TAJD337K010RNJ

CAP TANT 330UF 10% 10V 2917

L7805ABD2T-TR

L7805ABD2T-TR

STMicroelectronics

IC REG LINEAR 5V 1.5A D2PAK

JS28F128J3F75A

JS28F128J3F75A

Micron Technology Inc.

IC FLASH 128M PARALLEL 56TSOP

SD101CW-7-F

SD101CW-7-F

Diodes Incorporated

DIODE SCHOTTKY 40V 15MA SOD123

BAT54SLT1G

BAT54SLT1G

ON Semiconductor

DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V SOT23-3

MAX3295AUT+T

MAX3295AUT+T

Maxim Integrated

IC DRIVER 1/0 SOT23-6