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IRFH7184TRPBF

IRFH7184TRPBF

Solo per riferimento

Numero parte IRFH7184TRPBF
PNEDA Part # IRFH7184TRPBF
Descrizione MOSFET N-CH 100V 20A
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.640
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 14 - giu 19 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IRFH7184TRPBF Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIRFH7184TRPBF
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
IRFH7184TRPBF, IRFH7184TRPBF Datasheet (Totale pagine: 8, Dimensioni: 510,38 KB)
PDFIRFH7184TRPBF Datasheet Copertura
IRFH7184TRPBF Datasheet Pagina 2 IRFH7184TRPBF Datasheet Pagina 3 IRFH7184TRPBF Datasheet Pagina 4 IRFH7184TRPBF Datasheet Pagina 5 IRFH7184TRPBF Datasheet Pagina 6 IRFH7184TRPBF Datasheet Pagina 7 IRFH7184TRPBF Datasheet Pagina 8

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IRFH7184TRPBF Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
SerieFASTIRFET™, HEXFET®
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C20A (Ta), 128A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs4.8mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.6V @ 150µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs54nC @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2320pF @ 50V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)3.9W (Ta), 156W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitorePQFN (5x6)
Pacchetto / Custodia8-PowerTDFN

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

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Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

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Tensione Drain to Source (Vdss)

80V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

9.3A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

210mOhm @ 4.65A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.1nC @ 5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

280pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3.75W (Ta), 40W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

D²PAK (TO-263AB)

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Produttore

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Serie

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Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

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Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.5A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

76mOhm @ 3.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

450mV @ 250µA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.3W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

1206-8 ChipFET™

Pacchetto / Custodia

8-SMD, Flat Lead

IRL630STRL

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

9A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

400mOhm @ 5.4A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

40nC @ 10V

Vgs (massimo)

±10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1100pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3.1W (Ta), 74W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

D2PAK

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

SUD50P06-15L-T4-E3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

50A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

15mOhm @ 17A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

165nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4950pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

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Tensione Drain to Source (Vdss)

500V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

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Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

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Vgs (massimo)

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