IRFBE30S
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Numero parte | IRFBE30S |
PNEDA Part # | IRFBE30S |
Descrizione | MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK |
Produttore | Vishay Siliconix |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 7.758 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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IRFBE30S Risorse
Brand | Vishay Siliconix |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | IRFBE30S |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
Datasheet |
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IRFBE30S Specifiche
Produttore | Vishay Siliconix |
Serie | - |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 800V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4.1A (Tc) |
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3Ohm @ 2.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 78nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1300pF @ 25V |
Funzione FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 125W (Tc) |
Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | D2PAK |
Pacchetto / Custodia | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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