IRFB23N20DPBF
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Numero parte | IRFB23N20DPBF |
PNEDA Part # | IRFB23N20DPBF |
Descrizione | MOSFET N-CH 200V 24A TO-220AB |
Produttore | Infineon Technologies |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 19.668 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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IRFB23N20DPBF Risorse
Brand | Infineon Technologies |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | IRFB23N20DPBF |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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IRFB23N20DPBF Specifiche
Produttore | Infineon Technologies |
Serie | HEXFET® |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 200V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 24A (Tc) |
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 14A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 86nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1960pF @ 25V |
Funzione FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 3.8W (Ta), 170W (Tc) |
Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Pacchetto / Custodia | TO-220-3 |
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