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IRF9956TR

IRF9956TR

Solo per riferimento

Numero parte IRF9956TR
PNEDA Part # IRF9956TR
Descrizione MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8-SOIC
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.330
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 16 - mag 21 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IRF9956TR Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIRF9956TR
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
IRF9956TR, IRF9956TR Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 161,7 KB)
PDFIRF9956TR Datasheet Copertura
IRF9956TR Datasheet Pagina 2 IRF9956TR Datasheet Pagina 3 IRF9956TR Datasheet Pagina 4 IRF9956TR Datasheet Pagina 5 IRF9956TR Datasheet Pagina 6 IRF9956TR Datasheet Pagina 7

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IRF9956TR Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
SerieHEXFET®
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C3.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs100mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs14nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds190pF @ 15V
Potenza - Max2W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SO

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Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.34A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

85mOhm @ 3.05A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

750pF @ 24V

Potenza - Max

730mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

700mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

400mOhm @ 700mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.1nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

66.5pF @ 10V

Potenza - Max

300mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Produttore

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Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

330mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

350pF @ 25V

Potenza - Max

3W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

800mA (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

280mOhm @ 1.2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.25nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

27pF @ 10V

Potenza - Max

1.5W

Temperatura di esercizio

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Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

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8A, 11A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

15.5mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.35V @ 25µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

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