IRF7507TRPBF
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| Numero parte | IRF7507TRPBF |
| PNEDA Part # | IRF7507TRPBF |
| Descrizione | MOSFET N/P-CH 20V 1.7A MICRO8 |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 334.356 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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IRF7507TRPBF Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | IRF7507TRPBF |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
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IRF7507TRPBF Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | HEXFET® |
| Tipo FET | N and P-Channel |
| Funzione FET | Logic Level Gate |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2.4A, 1.7A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 140mOhm @ 1.7A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 700mV @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 260pF @ 15V |
| Potenza - Max | 1.25W |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | Micro8™ |
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Produttore ON Semiconductor Serie * Tipo FET - Funzione FET - Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Potenza - Max - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET 2 P-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 1.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs 325mOhm @ 800mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.6V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.2nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 82pF @ 10V Potenza - Max 800mW Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 6-SMD, Flat Leads Pacchetto dispositivo fornitore SC-88FL/MCPH6 |
Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id 1.3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35.2nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2360pF @ 6V Potenza - Max 2.4W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 6-SMD, No Lead Pacchetto dispositivo fornitore X3-DSN2718-6 |
