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IRF7350PBF

IRF7350PBF

Solo per riferimento

Numero parte IRF7350PBF
PNEDA Part # IRF7350PBF
Descrizione MOSFET N/P-CH 100V 8SOIC
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.610
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 31 - giu 5 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IRF7350PBF Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIRF7350PBF
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
IRF7350PBF, IRF7350PBF Datasheet (Totale pagine: 16, Dimensioni: 308,53 KB)
PDFIRF7350TRPBF Datasheet Copertura
IRF7350TRPBF Datasheet Pagina 2 IRF7350TRPBF Datasheet Pagina 3 IRF7350TRPBF Datasheet Pagina 4 IRF7350TRPBF Datasheet Pagina 5 IRF7350TRPBF Datasheet Pagina 6 IRF7350TRPBF Datasheet Pagina 7 IRF7350TRPBF Datasheet Pagina 8 IRF7350TRPBF Datasheet Pagina 9 IRF7350TRPBF Datasheet Pagina 10 IRF7350TRPBF Datasheet Pagina 11

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IRF7350PBF Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
SerieHEXFET®
Tipo FETN and P-Channel
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C2.1A, 1.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs210mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs28nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds380pF @ 25V
Potenza - Max2W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SO

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Serie

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Tipo FET

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Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

40A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

18mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4.5nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

475pF @ 25V

Potenza - Max

60W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerVDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

80mOhm @ 3.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

28nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

900pF @ 32V

Potenza - Max

1.39W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

18A (Ta), 84A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.7mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 40µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1300pF @ 25V

Potenza - Max

3W (Ta), 50W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

610mA (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

396mOhm @ 500mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2nC @ 8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

43pF @ 10V

Potenza - Max

220mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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Tensione Drain to Source (Vdss)

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Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5A, 7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

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