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IRF7103QTRPBF

IRF7103QTRPBF

Solo per riferimento

Numero parte IRF7103QTRPBF
PNEDA Part # IRF7103QTRPBF
Descrizione MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.732
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 25 - lug 30 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IRF7103QTRPBF Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIRF7103QTRPBF
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
IRF7103QTRPBF, IRF7103QTRPBF Datasheet (Totale pagine: 10, Dimensioni: 254,35 KB)
PDFIRF7103QTRPBF Datasheet Copertura
IRF7103QTRPBF Datasheet Pagina 2 IRF7103QTRPBF Datasheet Pagina 3 IRF7103QTRPBF Datasheet Pagina 4 IRF7103QTRPBF Datasheet Pagina 5 IRF7103QTRPBF Datasheet Pagina 6 IRF7103QTRPBF Datasheet Pagina 7 IRF7103QTRPBF Datasheet Pagina 8 IRF7103QTRPBF Datasheet Pagina 9 IRF7103QTRPBF Datasheet Pagina 10

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IRF7103QTRPBF Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
SerieHEXFET®
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)50V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs130mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs15nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds255pF @ 25V
Potenza - Max2.4W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SO

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

20A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.2mOhm @ 17A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 22µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

39nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3050pF @ 25V

Potenza - Max

54W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount, Wettable Flank

Pacchetto / Custodia

8-PowerVDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TDSON-8-10

SSM6P35AFU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

U-MOSVII

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate, 1.2V Drive

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

250mA (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.4Ohm @ 150mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

42pF @ 10V

Potenza - Max

285mW (Ta)

Temperatura di esercizio

150°C

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Pacchetto dispositivo fornitore

US6

DMHC10H170SFJ-13

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.9A, 2.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

160mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9.7nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1167pF @ 25V

Potenza - Max

2.1W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

12-VDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

V-DFN5045-12

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

55V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

13.8mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

20-SO

BSL314PEL6327HTSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

1.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

140mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 6.3µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.9nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

294pF @ 15V

Potenza - Max

500mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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