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IRF6702M2DTR1PBF

IRF6702M2DTR1PBF

Solo per riferimento

Numero parte IRF6702M2DTR1PBF
PNEDA Part # IRF6702M2DTR1PBF
Descrizione MOSFET 2N-CH 30V 15A DIRECTFET
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.166
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 12 - giu 17 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IRF6702M2DTR1PBF Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIRF6702M2DTR1PBF
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
IRF6702M2DTR1PBF, IRF6702M2DTR1PBF Datasheet (Totale pagine: 10, Dimensioni: 268,69 KB)
PDFIRF6702M2DTRPBF Datasheet Copertura
IRF6702M2DTRPBF Datasheet Pagina 2 IRF6702M2DTRPBF Datasheet Pagina 3 IRF6702M2DTRPBF Datasheet Pagina 4 IRF6702M2DTRPBF Datasheet Pagina 5 IRF6702M2DTRPBF Datasheet Pagina 6 IRF6702M2DTRPBF Datasheet Pagina 7 IRF6702M2DTRPBF Datasheet Pagina 8 IRF6702M2DTRPBF Datasheet Pagina 9 IRF6702M2DTRPBF Datasheet Pagina 10

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IRF6702M2DTR1PBF Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
SerieHEXFET®
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C15A
Rds On (Max) @ Id, Vgs6.6mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.35V @ 25µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs14nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1380pF @ 15V
Potenza - Max2.7W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaDirectFET™ Isometric MA
Pacchetto dispositivo fornitoreDIRECTFET™ MA

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

22mOhm @ 7.7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

800pF @ 15V

Potenza - Max

1.4W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-DSO-8

APTC80H15T3G

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo FET

4 N-Channel (H-Bridge)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

800V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

28A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

150mOhm @ 14A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.9V @ 2mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

180nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4507pF @ 25V

Potenza - Max

277W

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SP3

Pacchetto dispositivo fornitore

SP3

APTM50DUM38TG

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

500V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

90A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

45mOhm @ 45A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

246nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

11200pF @ 25V

Potenza - Max

694W

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SP4

Pacchetto dispositivo fornitore

SP4

SI4965DY-T1-E3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

8V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

21mOhm @ 8A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

450mV @ 250µA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

55nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

DMC3025LDV-7

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

15A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4.6nC @ 4.5V, 9.5nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

500pF @ 15V, 1188pF @ 15V

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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