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IRF3706SPBF

IRF3706SPBF

Solo per riferimento

Numero parte IRF3706SPBF
PNEDA Part # IRF3706SPBF
Descrizione MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.632
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 17 - mag 22 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IRF3706SPBF Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIRF3706SPBF
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
IRF3706SPBF, IRF3706SPBF Datasheet (Totale pagine: 12, Dimensioni: 360,38 KB)
PDFIRF3706STRLPBF Datasheet Copertura
IRF3706STRLPBF Datasheet Pagina 2 IRF3706STRLPBF Datasheet Pagina 3 IRF3706STRLPBF Datasheet Pagina 4 IRF3706STRLPBF Datasheet Pagina 5 IRF3706STRLPBF Datasheet Pagina 6 IRF3706STRLPBF Datasheet Pagina 7 IRF3706STRLPBF Datasheet Pagina 8 IRF3706STRLPBF Datasheet Pagina 9 IRF3706STRLPBF Datasheet Pagina 10 IRF3706STRLPBF Datasheet Pagina 11

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IRF3706SPBF Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
SerieHEXFET®
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C77A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)2.8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs8.5mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs35nC @ 4.5V
Vgs (massimo)±12V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2410pF @ 10V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)88W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreD2PAK
Pacchetto / CustodiaTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

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Tipo FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

550V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.7Ohm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

540pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

35W (Tc)

Temperatura di esercizio

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Tensione Drain to Source (Vdss)

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Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.3Ohm @ 2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14.5nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

640pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

25W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Pacchetto / Custodia

TO-262-3 Full Pack, I²Pak

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Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

π-MOSVII

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

450V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.5A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.75Ohm @ 2.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

380pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

30W (Tc)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220SIS

Pacchetto / Custodia

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Produttore

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Serie

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Tipo FET

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Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

57A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

28mOhm @ 34A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

95nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2500pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

180W (Tc)

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