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IRF3007STRLPBF

IRF3007STRLPBF

Solo per riferimento

Numero parte IRF3007STRLPBF
PNEDA Part # IRF3007STRLPBF
Descrizione MOSFET N CH 75V 62A D2PAK
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.100
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IRF3007STRLPBF Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIRF3007STRLPBF
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
IRF3007STRLPBF, IRF3007STRLPBF Datasheet (Totale pagine: 11, Dimensioni: 323,17 KB)
PDFIRF3007SPBF Datasheet Copertura
IRF3007SPBF Datasheet Pagina 2 IRF3007SPBF Datasheet Pagina 3 IRF3007SPBF Datasheet Pagina 4 IRF3007SPBF Datasheet Pagina 5 IRF3007SPBF Datasheet Pagina 6 IRF3007SPBF Datasheet Pagina 7 IRF3007SPBF Datasheet Pagina 8 IRF3007SPBF Datasheet Pagina 9 IRF3007SPBF Datasheet Pagina 10 IRF3007SPBF Datasheet Pagina 11

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IRF3007STRLPBF Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
SerieHEXFET®
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)75V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C62A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs12.6mOhm @ 48A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs130nC @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds3270pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)120W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreD2PAK
Pacchetto / CustodiaTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

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Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

20A (Ta), 140A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.2mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.6V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

136nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

7400pF @ 20V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3.8W (Ta), 200W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Pacchetto / Custodia

8-PowerTDFN, 5 Leads

APT18F60B

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

19A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

390mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

90nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3550pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

335W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247 [B]

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

SPA11N60CFDXKSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

11A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

440mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 1.9mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

64nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1200pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

33W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO220-3

Pacchetto / Custodia

TO-220-3 Full Pack

IRF150P221XKMA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo FET

-

Tecnologia

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO247-3

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

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Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

25V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

78A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.2mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

66nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2490pF @ 12V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

10.7W (Ta), 65W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

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Pacchetto dispositivo fornitore

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