IRF2804LPBF
Solo per riferimento
| Numero parte | IRF2804LPBF |
| PNEDA Part # | IRF2804LPBF |
| Descrizione | MOSFET N-CH 40V 75A TO-220-3 |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.920 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 31 - giu 5 (Scegli Spedizione rapida) |
| Guarantee | Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
IRF2804LPBF Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Numero di parte | IRF2804LPBF |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.
Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:
Pronta reattività
Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.
Qualità garantita
I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.
Accesso globale
La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.
Hot search vocabulary
- IRF2804LPBF Datasheet
- where to find IRF2804LPBF
- Infineon Technologies
- Infineon Technologies IRF2804LPBF
- IRF2804LPBF PDF Datasheet
- IRF2804LPBF Stock
- IRF2804LPBF Pinout
- Datasheet IRF2804LPBF
- IRF2804LPBF Supplier
- Infineon Technologies Distributor
- IRF2804LPBF Price
- IRF2804LPBF Distributor
IRF2804LPBF Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | HEXFET® |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 40V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 75A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.3mOhm @ 75A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 240nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | - |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 6450pF @ 25V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 300W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-262 |
| Pacchetto / Custodia | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
I prodotti a cui potresti essere interessato
|
Produttore Infineon Technologies Serie HEXFET® Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.98mOhm @ 90A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.9V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 155nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5171pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 163W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore I-PAK Pacchetto / Custodia TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Produttore ON Semiconductor Serie SuperFET® III Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 10A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 360mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 10V Vgs (massimo) ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 730pF @ 400V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 27W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore TO-220F-3 Pacchetto / Custodia TO-220-3 Full Pack |
Produttore Infineon Technologies Serie HEXFET® Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 21A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5mOhm @ 21A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.35V @ 50µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 4.5V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3175pF @ 15V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage Serie π-MOSVII Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 4.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.67Ohm @ 2.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4.4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 10V Vgs (massimo) ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 700pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 35W (Tc) Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore TO-220SIS Pacchetto / Custodia TO-220-3 Full Pack |
Produttore ON Semiconductor Serie Automotive, AEC-Q101 Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 17A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 27.4mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.4nC @ 4.5V Vgs (massimo) ±16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 400pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 18W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore DPAK Pacchetto / Custodia TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
