IRF1902GPBF
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Numero parte | IRF1902GPBF |
PNEDA Part # | IRF1902GPBF |
Descrizione | MOSFET N-CH 20V 4.2A 8SOIC |
Produttore | Infineon Technologies |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 6.750 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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IRF1902GPBF Risorse
Brand | Infineon Technologies |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | IRF1902GPBF |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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IRF1902GPBF Specifiche
Produttore | Infineon Technologies |
Serie | HEXFET® |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4.2A (Ta) |
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 85mOhm @ 4A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 700mV @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.5nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | - |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 310pF @ 15V |
Funzione FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | - |
Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
Pacchetto / Custodia | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
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