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IRF1503STRLPBF

IRF1503STRLPBF

Solo per riferimento

Numero parte IRF1503STRLPBF
PNEDA Part # IRF1503STRLPBF
Descrizione MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.256
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 15 - giu 20 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IRF1503STRLPBF Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIRF1503STRLPBF
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
IRF1503STRLPBF, IRF1503STRLPBF Datasheet (Totale pagine: 11, Dimensioni: 330,93 KB)
PDFIRF1503SPBF Datasheet Copertura
IRF1503SPBF Datasheet Pagina 2 IRF1503SPBF Datasheet Pagina 3 IRF1503SPBF Datasheet Pagina 4 IRF1503SPBF Datasheet Pagina 5 IRF1503SPBF Datasheet Pagina 6 IRF1503SPBF Datasheet Pagina 7 IRF1503SPBF Datasheet Pagina 8 IRF1503SPBF Datasheet Pagina 9 IRF1503SPBF Datasheet Pagina 10 IRF1503SPBF Datasheet Pagina 11

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IRF1503STRLPBF Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
SerieHEXFET®
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C75A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.3mOhm @ 140A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs200nC @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds5730pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)200W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreD2PAK
Pacchetto / CustodiaTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

250V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.4A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.1Ohm @ 2.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

260pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3.1W (Ta), 50W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

D2PAK

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

62A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

2.8V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

12mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

24nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±12V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2417pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

87W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AB

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

2N7000RLRPG

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

200mA (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

60pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

350mW (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

NTD4905N-1G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

12A (Ta), 67A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.5mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

33nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2340pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.4W (Ta), 44W (Tc)

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Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

42.5A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.4mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

87nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4070pF @ 20V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3.5W (Ta), 7.8W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Pacchetto / Custodia

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