Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Milioni di parti elettroniche in magazzino. Quotazioni su prezzi e tempi di consegna entro 24 ore.

IRF1503SPBF

IRF1503SPBF

Solo per riferimento

Numero parte IRF1503SPBF
PNEDA Part # IRF1503SPBF
Descrizione MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.544
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 1 - mag 6 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IRF1503SPBF Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIRF1503SPBF
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
IRF1503SPBF, IRF1503SPBF Datasheet (Totale pagine: 11, Dimensioni: 330,93 KB)
PDFIRF1503SPBF Datasheet Copertura
IRF1503SPBF Datasheet Pagina 2 IRF1503SPBF Datasheet Pagina 3 IRF1503SPBF Datasheet Pagina 4 IRF1503SPBF Datasheet Pagina 5 IRF1503SPBF Datasheet Pagina 6 IRF1503SPBF Datasheet Pagina 7 IRF1503SPBF Datasheet Pagina 8 IRF1503SPBF Datasheet Pagina 9 IRF1503SPBF Datasheet Pagina 10 IRF1503SPBF Datasheet Pagina 11

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.

Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:

  • Pronta reattività

    Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.

  • Qualità garantita

    I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.

  • Accesso globale

    La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.

Hot search vocabulary

  • IRF1503SPBF Datasheet
  • where to find IRF1503SPBF
  • Infineon Technologies

  • Infineon Technologies IRF1503SPBF
  • IRF1503SPBF PDF Datasheet
  • IRF1503SPBF Stock

  • IRF1503SPBF Pinout
  • Datasheet IRF1503SPBF
  • IRF1503SPBF Supplier

  • Infineon Technologies Distributor
  • IRF1503SPBF Price
  • IRF1503SPBF Distributor

IRF1503SPBF Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
SerieHEXFET®
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C75A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.3mOhm @ 140A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs200nC @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds5730pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)200W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreD2PAK
Pacchetto / CustodiaTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

I prodotti a cui potresti essere interessato

BUK7Y08-40B,115

Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

75A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

36.3nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2040pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

105W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

LFPAK56, Power-SO8

Pacchetto / Custodia

SC-100, SOT-669

GP1M008A080H

Global Power Technologies Group

Produttore

Global Power Technologies Group

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

800V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

8A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.4Ohm @ 4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

46nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1921pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

250W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

SPB10N10 G

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

SIPMOS®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

10.3A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

170mOhm @ 7.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 21µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

19.4nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

426pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

50W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO263-3-2

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

SIR870ADP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

60A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.6mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

80nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2866pF @ 50V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

6.25W (Ta), 104W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

PowerPAK® SO-8

Pacchetto / Custodia

PowerPAK® SO-8

CPH6355-TL-W

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

169mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.6V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3.9nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

172pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.6W (Ta)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

6-CPH

Pacchetto / Custodia

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Venduto di recente

NTF2955T1G

NTF2955T1G

ON Semiconductor

MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT-223

MAX7360ETL+

MAX7360ETL+

Maxim Integrated

IC CTRLR KEY-SW I2C 40TQFN

JANTX1N4148-1

JANTX1N4148-1

Microsemi

DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35

FDC6325L

FDC6325L

ON Semiconductor

IC LOAD SWITCH INT 8VIN SSOT-6

TCMT4100

TCMT4100

Vishay Semiconductor Opto Division

OPTOISO 3.75KV 4CH TRANS 16-SOP

AD8113JSTZ

AD8113JSTZ

Analog Devices

IC VIDEO CROSSPOINT SWIT 100LQFP

MAX6105EUR+T

MAX6105EUR+T

Maxim Integrated

IC VREF SERIES 5V SOT23-3

AT93C57W-10SC

AT93C57W-10SC

Microchip Technology

IC EEPROM 2K SPI 2MHZ 8SOIC

MAX485ESA+T

MAX485ESA+T

Maxim Integrated

IC TRANSCEIVER HALF 1/1 8SOIC

IHLP2525CZERR33M01

IHLP2525CZERR33M01

Vishay Dale

FIXED IND 330NH 20A 3.9 MOHM SMD

SUD40N08-16-E3

SUD40N08-16-E3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 80V 40A TO252

MT25QU256ABA8ESF-0SIT

MT25QU256ABA8ESF-0SIT

Micron Technology Inc.

IC FLASH 256M SPI 133MHZ 16SOP2