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IR2135J

IR2135J

Solo per riferimento

Numero parte IR2135J
PNEDA Part # IR2135J
Descrizione IC DRIVER BRIDGE 3-PHASE 44-PLCC
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.318
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 15 - lug 20 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IR2135J Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIR2135J
CategoriaSemiconduttoriCI di gestione dell'alimentazionePMIC - Gate driver

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IR2135J Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
Serie-
Configurazione guidataHalf-Bridge
Tipo di canale3-Phase
Numero di driver6
Tipo di portaIGBT, N-Channel MOSFET
Tensione - Alimentazione10V ~ 20V
Tensione logica - VIL, VIH0.8V, 2.2V
Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)250mA, 500mA
Tipo di ingressoInverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap)600V
Tempo di salita / discesa (tipico)90ns, 40ns
Temperatura di esercizio125°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia44-LCC (J-Lead), 32 Leads
Pacchetto dispositivo fornitore44-PLCC, 32 Leads (16.58x16.58)

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Produttore

IXYS

Serie

-

Configurazione guidata

-

Tipo di canale

-

Numero di driver

-

Tipo di porta

-

Tensione - Alimentazione

-

Tensione logica - VIL, VIH

-

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

-

Tipo di ingresso

-

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Tempo di salita / discesa (tipico)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

TC4422AVMF713

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Configurazione guidata

Low-Side

Tipo di canale

Single

Numero di driver

1

Tipo di porta

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 18V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 2.4V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

10A, 10A

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Tempo di salita / discesa (tipico)

38ns, 33ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-VDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

8-DFN-S (6x5)

IXRFD631-NRF

IXYS-RF

Produttore

IXYS-RF

Serie

-

Configurazione guidata

Low-Side

Tipo di canale

Single

Numero di driver

1

Tipo di porta

N-Channel, P-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

8V ~ 18V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 3.5V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

30A, 30A

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Tempo di salita / discesa (tipico)

4ns, 4ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-SMD, Flat Lead Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

-

IR21824

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

2

Tipo di porta

IGBT, N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

10V ~ 20V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 2.7V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

1.9A, 2.3A

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

Tempo di salita / discesa (tipico)

40ns, 20ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

14-DIP (0.300", 7.62mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

14-DIP

1EDN7511BXTSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

EiceDriver™

Configurazione guidata

Low-Side

Tipo di canale

Single

Numero di driver

1

Tipo di porta

IGBT, N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 20V

Tensione logica - VIL, VIH

1.2V, 1.9V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

4A, 8A

Tipo di ingresso

Inverting, Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Tempo di salita / discesa (tipico)

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-23-6

Pacchetto dispositivo fornitore

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