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IR2112S

IR2112S

Solo per riferimento

Numero parte IR2112S
PNEDA Part # IR2112S
Descrizione IC MOSFET DRVR HI/LO SIDE 16SOIC
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.456
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 16 - mag 21 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IR2112S Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIR2112S
CategoriaSemiconduttoriCI di gestione dell'alimentazionePMIC - Gate driver

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IR2112S Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
Serie-
Configurazione guidataHalf-Bridge
Tipo di canaleIndependent
Numero di driver2
Tipo di portaIGBT, N-Channel MOSFET
Tensione - Alimentazione10V ~ 20V
Tensione logica - VIL, VIH6V, 9.5V
Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)250mA, 500mA
Tipo di ingressoNon-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap)600V
Tempo di salita / discesa (tipico)80ns, 40ns
Temperatura di esercizio-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore16-SOIC

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q100

Configurazione guidata

Low-Side

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

2

Tipo di porta

N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 18V

Tensione logica - VIL, VIH

-

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

3A, 3A

Tipo di ingresso

Inverting, Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Tempo di salita / discesa (tipico)

12ns, 9ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

UC3708NE

Texas Instruments

Produttore

Serie

-

Configurazione guidata

Low-Side

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

2

Tipo di porta

N-Channel, P-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

5V ~ 35V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 2V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

3A, 3A

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Tempo di salita / discesa (tipico)

25ns, 25ns

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

16-DIP (0.300", 7.62mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

16-PDIP

MIC4607-2YML-T5

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

3-Phase

Numero di driver

6

Tipo di porta

N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

5.25V ~ 16V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 2.2V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

1A, 1A

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

108V

Tempo di salita / discesa (tipico)

20ns, 20ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

28-VFQFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

28-QFN (4x5)

NCP302155MNTWG

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

*

Configurazione guidata

-

Tipo di canale

-

Numero di driver

-

Tipo di porta

-

Tensione - Alimentazione

-

Tensione logica - VIL, VIH

-

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

-

Tipo di ingresso

-

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Tempo di salita / discesa (tipico)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

EL7154CNZ

Renesas Electronics America Inc.

Produttore

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Configurazione guidata

High-Side or Low-Side

Tipo di canale

Synchronous

Numero di driver

2

Tipo di porta

IGBT, N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 16V

Tensione logica - VIL, VIH

0.6V, 2.4V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

4A, 4A

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Tempo di salita / discesa (tipico)

4ns, 4ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

8-DIP (0.300", 7.62mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-PDIP

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