IPP80N06S3L-08
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Numero parte | IPP80N06S3L-08 |
PNEDA Part # | IPP80N06S3L-08 |
Descrizione | MOSFET N-CH 55V 80A TO-220 |
Produttore | Infineon Technologies |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 3.726 |
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IPP80N06S3L-08 Risorse
Brand | Infineon Technologies |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | IPP80N06S3L-08 |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
Datasheet |
IPP80N06S3L-08, IPP80N06S3L-08 Datasheet
(Totale pagine: 9, Dimensioni: 185,31 KB)
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IPP80N06S3L-08 Specifiche
Produttore | Infineon Technologies |
Serie | OptiMOS™ |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 55V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 80A (Tc) |
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.9mOhm @ 43A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 55µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 134nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±16V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 6475pF @ 25V |
Funzione FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 105W (Tc) |
Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO220-3-1 |
Pacchetto / Custodia | TO-220-3 |
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