IPP65R190C6XKSA1
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Numero parte | IPP65R190C6XKSA1 |
PNEDA Part # | IPP65R190C6XKSA1 |
Descrizione | MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220 |
Produttore | Infineon Technologies |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 6.732 |
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IPP65R190C6XKSA1 Risorse
Brand | Infineon Technologies |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | IPP65R190C6XKSA1 |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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IPP65R190C6XKSA1 Specifiche
Produttore | Infineon Technologies |
Serie | CoolMOS™ |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 650V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 20.2A (Tc) |
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190mOhm @ 7.3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 730µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 73nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1620pF @ 100V |
Funzione FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 151W (Tc) |
Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO220-3 |
Pacchetto / Custodia | TO-220-3 |
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