IPL65R660E6AUMA1
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Numero parte | IPL65R660E6AUMA1 |
PNEDA Part # | IPL65R660E6AUMA1 |
Descrizione | MOSFET N-CH 4VSON |
Produttore | Infineon Technologies |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 5.202 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
Consegna stimata | mag 15 - mag 20 (Scegli Spedizione rapida) |
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IPL65R660E6AUMA1 Risorse
Brand | Infineon Technologies |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | IPL65R660E6AUMA1 |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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IPL65R660E6AUMA1 Specifiche
Produttore | Infineon Technologies |
Serie | CoolMOS™ E6 |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 650V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 7A (Tc) |
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 660mOhm @ 2.1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 200µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 440pF @ 100V |
Funzione FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 63W (Tc) |
Temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | Thin-Pak (8x8) |
Pacchetto / Custodia | 4-PowerTSFN |
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