Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Milioni di parti elettroniche in magazzino. Quotazioni su prezzi e tempi di consegna entro 24 ore.

IPI70N10S3L12AKSA1

IPI70N10S3L12AKSA1

Solo per riferimento

Numero parte IPI70N10S3L12AKSA1
PNEDA Part # IPI70N10S3L12AKSA1
Descrizione MOSFET N-CH 100V 70A TO262-3
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.726
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 15 - giu 20 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IPI70N10S3L12AKSA1 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIPI70N10S3L12AKSA1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
IPI70N10S3L12AKSA1, IPI70N10S3L12AKSA1 Datasheet (Totale pagine: 9, Dimensioni: 160,73 KB)
PDFIPI70N10S3L12AKSA1 Datasheet Copertura
IPI70N10S3L12AKSA1 Datasheet Pagina 2 IPI70N10S3L12AKSA1 Datasheet Pagina 3 IPI70N10S3L12AKSA1 Datasheet Pagina 4 IPI70N10S3L12AKSA1 Datasheet Pagina 5 IPI70N10S3L12AKSA1 Datasheet Pagina 6 IPI70N10S3L12AKSA1 Datasheet Pagina 7 IPI70N10S3L12AKSA1 Datasheet Pagina 8 IPI70N10S3L12AKSA1 Datasheet Pagina 9

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.

Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:

  • Pronta reattività

    Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.

  • Qualità garantita

    I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.

  • Accesso globale

    La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.

Hot search vocabulary

  • IPI70N10S3L12AKSA1 Datasheet
  • where to find IPI70N10S3L12AKSA1
  • Infineon Technologies

  • Infineon Technologies IPI70N10S3L12AKSA1
  • IPI70N10S3L12AKSA1 PDF Datasheet
  • IPI70N10S3L12AKSA1 Stock

  • IPI70N10S3L12AKSA1 Pinout
  • Datasheet IPI70N10S3L12AKSA1
  • IPI70N10S3L12AKSA1 Supplier

  • Infineon Technologies Distributor
  • IPI70N10S3L12AKSA1 Price
  • IPI70N10S3L12AKSA1 Distributor

IPI70N10S3L12AKSA1 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
SerieOptiMOS™
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C70A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs12.1mOhm @ 70A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.4V @ 83µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs80nC @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds5550pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)125W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitorePG-TO262-3
Pacchetto / CustodiaTO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

I prodotti a cui potresti essere interessato

BSS84PWH6327XTSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

SIPMOS®

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

150mA (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8Ohm @ 150mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 20µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.5nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

19.1pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

300mW (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-SOT323-3

Pacchetto / Custodia

SC-70, SOT-323

Produttore

IXYS

Serie

CoolMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

10A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

385mOhm @ 5.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 340µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

22nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

790pF @ 100V

Funzione FET

Super Junction

Dissipazione di potenza (max)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AB

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

2SK2376(Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

45A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

17mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

110nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3350pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

100W (Tc)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220FL

Pacchetto / Custodia

TO-220-3, Short Tab

AOD240

Alpha & Omega Semiconductor

Produttore

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

23A (Ta), 70A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

60nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4300pF @ 20V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.7W (Ta), 150W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-252, (D-Pak)

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

DMN6040SFDE-7

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5.3A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

38mOhm @ 4.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

22.4nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1287pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

660mW (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

U-DFN2020-6 (Type E)

Pacchetto / Custodia

6-UDFN Exposed Pad

Venduto di recente

ACPL-M21L-500E

ACPL-M21L-500E

Broadcom

OPTOISO 3.75KV PUSH PULL 5SO

BF862,215

BF862,215

NXP

JFET N-CH 20V 25MA SOT23

CS5173EDR8G

CS5173EDR8G

ON Semiconductor

IC REG MULT CONFG ADJ 1.5A 8SOIC

MK64FN1M0VLL12

MK64FN1M0VLL12

NXP

IC MCU 32BIT 1MB FLASH 100LQFP

DLW5BTN501SQ2L

DLW5BTN501SQ2L

Murata

CMC 4A 2LN 500 OHM SMD

RB521S30T5G

RB521S30T5G

ON Semiconductor

DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD523

MCP2551-I/SN

MCP2551-I/SN

Microchip Technology

IC TRANSCEIVER HALF 1/1 8SOIC

4608X-101-332LF

4608X-101-332LF

Bourns

RES ARRAY 7 RES 3.3K OHM 8SIP

TAJD107K020RNJ

TAJD107K020RNJ

CAP TANT 100UF 10% 20V 2917

TCMT4100

TCMT4100

Vishay Semiconductor Opto Division

OPTOISO 3.75KV 4CH TRANS 16-SOP

ADM6996MX-AD-T-1

ADM6996MX-AD-T-1

Infineon Technologies

IC SWITCH ETHER 5PORT 128-FQFP

CXA-0359

CXA-0359

TDK

INVERTER DC/DC