IPI65R099C6XKSA1
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| Numero parte | IPI65R099C6XKSA1 |
| PNEDA Part # | IPI65R099C6XKSA1 |
| Descrizione | MOSFET N-CH 650V 38A TO-262 |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.580 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 12 - giu 17 (Scegli Spedizione rapida) |
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IPI65R099C6XKSA1 Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | IPI65R099C6XKSA1 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
IPI65R099C6XKSA1, IPI65R099C6XKSA1 Datasheet
(Totale pagine: 20, Dimensioni: 3.828,78 KB)
  
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IPI65R099C6XKSA1 Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | CoolMOS™ |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 650V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 38A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 99mOhm @ 12.8A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1.2mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 127nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2780pF @ 100V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 278W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO262-3-1 |
| Pacchetto / Custodia | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
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