IPI086N10N3GXKSA1
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| Numero parte | IPI086N10N3GXKSA1 |
| PNEDA Part # | IPI086N10N3GXKSA1 |
| Descrizione | MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3 |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 16.974 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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IPI086N10N3GXKSA1 Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | IPI086N10N3GXKSA1 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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IPI086N10N3GXKSA1 Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | OptiMOS™ |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 100V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 80A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.6mOhm @ 73A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 75µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 55nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3980pF @ 50V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 125W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO262-3 |
| Pacchetto / Custodia | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
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