IPG20N06S2L35ATMA1
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Numero parte | IPG20N06S2L35ATMA1 |
PNEDA Part # | IPG20N06S2L35ATMA1 |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8-4 |
Produttore | Infineon Technologies |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 37.296 |
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IPG20N06S2L35ATMA1 Risorse
Brand | Infineon Technologies |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | IPG20N06S2L35ATMA1 |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
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IPG20N06S2L35ATMA1 Specifiche
Produttore | Infineon Technologies |
Serie | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Funzione FET | Logic Level Gate |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 55V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 20A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 27µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 790pF @ 25V |
Potenza - Max | 65W |
Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / Custodia | 8-PowerVDFN |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TDSON-8-4 |
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