IPG16N10S4L61AATMA1
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Numero parte | IPG16N10S4L61AATMA1 |
PNEDA Part # | IPG16N10S4L61AATMA1 |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 8TDSON |
Produttore | Infineon Technologies |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 2.790 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
Consegna stimata | giu 20 - giu 25 (Scegli Spedizione rapida) |
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IPG16N10S4L61AATMA1 Risorse
Brand | Infineon Technologies |
ECAD Module |
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Mfr. Numero di parte | IPG16N10S4L61AATMA1 |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
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IPG16N10S4L61AATMA1 Specifiche
Produttore | Infineon Technologies |
Serie | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Funzione FET | Logic Level Gate |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 16A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 61mOhm @ 16A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 90µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 845pF @ 25V |
Potenza - Max | 29W |
Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount, Wettable Flank |
Pacchetto / Custodia | 8-PowerVDFN |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TDSON-8-10 |
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