IPD90N06S4L03ATMA1
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Numero parte | IPD90N06S4L03ATMA1 |
PNEDA Part # | IPD90N06S4L03ATMA1 |
Descrizione | MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3 |
Produttore | Infineon Technologies |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 2.100 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
Consegna stimata | mar 31 - apr 5 (Scegli Spedizione rapida) |
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IPD90N06S4L03ATMA1 Risorse
Brand | Infineon Technologies |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | IPD90N06S4L03ATMA1 |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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IPD90N06S4L03ATMA1 Specifiche
Produttore | Infineon Technologies |
Serie | OptiMOS™ |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 90A (Tc) |
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5mOhm @ 90A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 90µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 170nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±16V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 13000pF @ 25V |
Funzione FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 150W (Tc) |
Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO252-3 |
Pacchetto / Custodia | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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