IPD30N06S2L13ATMA4
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Numero parte | IPD30N06S2L13ATMA4 |
PNEDA Part # | IPD30N06S2L13ATMA4 |
Descrizione | MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3 |
Produttore | Infineon Technologies |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 53.376 |
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IPD30N06S2L13ATMA4 Risorse
Brand | Infineon Technologies |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | IPD30N06S2L13ATMA4 |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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IPD30N06S2L13ATMA4 Specifiche
Produttore | Infineon Technologies |
Serie | OptiMOS™ |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 55V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 30A (Tc) |
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 80µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 69nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1800pF @ 25V |
Funzione FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 136W (Tc) |
Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO252-3-11 |
Pacchetto / Custodia | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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