IPB80N04S3H4ATMA1
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| Numero parte | IPB80N04S3H4ATMA1 |
| PNEDA Part # | IPB80N04S3H4ATMA1 |
| Descrizione | MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3 |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 8.874 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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IPB80N04S3H4ATMA1 Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | IPB80N04S3H4ATMA1 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
IPB80N04S3H4ATMA1, IPB80N04S3H4ATMA1 Datasheet
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IPB80N04S3H4ATMA1 Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | OptiMOS™ |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 40V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 80A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5mOhm @ 80A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 65µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3900pF @ 25V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 115W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO263-3-2 |
| Pacchetto / Custodia | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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