IPB054N08N3GATMA1
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Numero parte | IPB054N08N3GATMA1 |
PNEDA Part # | IPB054N08N3GATMA1 |
Descrizione | MOSFET N-CH 80V 80A TO263-3 |
Produttore | Infineon Technologies |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 3.672 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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IPB054N08N3GATMA1 Risorse
Brand | Infineon Technologies |
ECAD Module |
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Mfr. Numero di parte | IPB054N08N3GATMA1 |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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IPB054N08N3GATMA1 Specifiche
Produttore | Infineon Technologies |
Serie | OptiMOS™ |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 80V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 80A (Tc) |
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.4mOhm @ 80A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 90µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 69nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4750pF @ 40V |
Funzione FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 150W (Tc) |
Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | D²PAK (TO-263AB) |
Pacchetto / Custodia | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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