IPB04N03LB G
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Numero parte | IPB04N03LB G |
PNEDA Part # | IPB04N03LB-G |
Descrizione | MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK |
Produttore | Infineon Technologies |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 8.208 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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IPB04N03LB G Risorse
Brand | Infineon Technologies |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | IPB04N03LB G |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
Datasheet |
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IPB04N03LB G Specifiche
Produttore | Infineon Technologies |
Serie | OptiMOS™ |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 80A (Tc) |
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5mOhm @ 55A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 70µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 5V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5203pF @ 15V |
Funzione FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 107W (Tc) |
Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | D²PAK (TO-263AB) |
Pacchetto / Custodia | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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