IPA80R1K2P7XKSA1
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| Numero parte | IPA80R1K2P7XKSA1 |
| PNEDA Part # | IPA80R1K2P7XKSA1 |
| Descrizione | MOSFET N-CH 800V 4.5A TO220 |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.320 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | lug 21 - lug 26 (Scegli Spedizione rapida) |
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IPA80R1K2P7XKSA1 Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | IPA80R1K2P7XKSA1 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
IPA80R1K2P7XKSA1, IPA80R1K2P7XKSA1 Datasheet
(Totale pagine: 13, Dimensioni: 948,96 KB)
  
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IPA80R1K2P7XKSA1 Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | CoolMOS™ P7 |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 800V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4.5A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 1.7A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 80µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 300pF @ 500V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 25W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO220 Full Pack |
| Pacchetto / Custodia | TO-220-3 Full Pack |
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Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 45A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 28mOhm @ 45A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 150nC @ 20V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2050pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 131W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore TO-220-3 Pacchetto / Custodia TO-220-3 |
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