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IPA65R099C6XKSA1

IPA65R099C6XKSA1

Solo per riferimento

Numero parte IPA65R099C6XKSA1
PNEDA Part # IPA65R099C6XKSA1
Descrizione MOSFET N-CH 650V 38A TO220
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.896
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 15 - giu 20 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IPA65R099C6XKSA1 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIPA65R099C6XKSA1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
IPA65R099C6XKSA1, IPA65R099C6XKSA1 Datasheet (Totale pagine: 20, Dimensioni: 3.828,78 KB)
PDFIPP65R099C6XKSA1 Datasheet Copertura
IPP65R099C6XKSA1 Datasheet Pagina 2 IPP65R099C6XKSA1 Datasheet Pagina 3 IPP65R099C6XKSA1 Datasheet Pagina 4 IPP65R099C6XKSA1 Datasheet Pagina 5 IPP65R099C6XKSA1 Datasheet Pagina 6 IPP65R099C6XKSA1 Datasheet Pagina 7 IPP65R099C6XKSA1 Datasheet Pagina 8 IPP65R099C6XKSA1 Datasheet Pagina 9 IPP65R099C6XKSA1 Datasheet Pagina 10 IPP65R099C6XKSA1 Datasheet Pagina 11

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IPA65R099C6XKSA1 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
SerieCoolMOS™
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C38A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs99mOhm @ 12.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.5V @ 1.2mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs127nC @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2780pF @ 100V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)35W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitorePG-TO220 Full Pack
Pacchetto / CustodiaTO-220-3 Full Pack

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IPW60R041C6FKSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

77.5A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

41mOhm @ 44.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 2.96mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

290nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

6530pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

481W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO247-3

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

IPB031NE7N3GATMA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

75V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

100A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.1mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.8V @ 155µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

117nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

8130pF @ 37.5V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

214W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO263-3-2

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

BSC883N03MSGATMA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

34V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

19A (Ta), 98A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.8mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

41nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3200pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.5W (Ta), 57W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TDSON-8-1

Pacchetto / Custodia

8-PowerTDFN

DMTH8012LPSW-13

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

80V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

53.7A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

17mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

34nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1949pF @ 40V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3.1W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

PowerDI5060-8

Pacchetto / Custodia

8-PowerTDFN

SI3477DV-T1-GE3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

12V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

8A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

17.5mOhm @ 9A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

90nC @ 10V

Vgs (massimo)

±10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2600pF @ 6V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2W (Ta), 4.2W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

6-TSOP

Pacchetto / Custodia

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