IMW120R045M1XKSA1
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Numero parte | IMW120R045M1XKSA1 |
PNEDA Part # | IMW120R045M1XKSA1 |
Descrizione | COOLSIC MOSFETS 1200V |
Produttore | Infineon Technologies |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 6.966 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
Consegna stimata | mag 1 - mag 6 (Scegli Spedizione rapida) |
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IMW120R045M1XKSA1 Risorse
Brand | Infineon Technologies |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | IMW120R045M1XKSA1 |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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IMW120R045M1XKSA1 Specifiche
Produttore | Infineon Technologies |
Serie | CoolSiC™ |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 1.2kV |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 52A (Tc) |
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 15V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 59mOhm @ 20A, 15V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5.7V @ 10mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 52nC @ 15V |
Vgs (massimo) | +20V, -10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1.9nF @ 800V |
Funzione FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 228W (Tc) |
Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO247-3-41 |
Pacchetto / Custodia | TO-247-3 |
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