IMH23T110
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| Numero parte | IMH23T110 |
| PNEDA Part # | IMH23T110 |
| Descrizione | TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6 |
| Produttore | Rohm Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.894 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 8 - mag 13 (Scegli Spedizione rapida) |
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IMH23T110 Risorse
| Brand | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | IMH23T110 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati |
| Datasheet |
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IMH23T110 Specifiche
| Produttore | Rohm Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo di transistor | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 600mA |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 20V |
| Resistenza - Base (R1) | 4.7kOhms |
| Resistenza - Base Emettitore (R2) | - |
| Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 820 @ 50mA, 5V |
| Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 2.5mA, 50mA |
| Corrente - Taglio collettore (Max) | - |
| Frequenza - Transizione | 150MHz |
| Potenza - Max | 300mW |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | SC-74, SOT-457 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SMT6 |
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Produttore Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Tipo di transistor 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max) 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 50V Resistenza - Base (R1) 22kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2) 22kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 10mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA Corrente - Taglio collettore (Max) 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione 250MHz Potenza - Max 100mW Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SOT-563, SOT-666 Pacchetto dispositivo fornitore ES6 |
Produttore Rohm Semiconductor Serie - Tipo di transistor 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max) 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 50V Resistenza - Base (R1) 10kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2) 47kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 68 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA Corrente - Taglio collettore (Max) 500nA Frequenza - Transizione 250MHz Potenza - Max 150mW Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SOT-563, SOT-666 Pacchetto dispositivo fornitore EMT6 |
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Tipo di transistor 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max) 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 50V Resistenza - Base (R1) 10kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2) 10kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 50 @ 10mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA Corrente - Taglio collettore (Max) 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione 250MHz Potenza - Max 500mW Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore US6 |
Produttore Rohm Semiconductor Serie - Tipo di transistor 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max) 100mA, 500mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 50V Resistenza - Base (R1) 100kOhms, 2.2kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2) 22kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 1mA, 5V / 82 @ 50mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA / 300mV @ 100µA, 1mA Corrente - Taglio collettore (Max) - Frequenza - Transizione 250MHz Potenza - Max 300mW Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SC-74, SOT-457 Pacchetto dispositivo fornitore SMT6 |
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage Serie * Tipo di transistor - Corrente - Collettore (Ic) (Max) - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) - Resistenza - Base (R1) - Resistenza - Base Emettitore (R2) - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce - Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic - Corrente - Taglio collettore (Max) - Frequenza - Transizione - Potenza - Max - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
