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IKW03N120H2FKSA1

IKW03N120H2FKSA1

Solo per riferimento

Numero parte IKW03N120H2FKSA1
PNEDA Part # IKW03N120H2FKSA1
Descrizione IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO247-3
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.392
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 5 - lug 10 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IKW03N120H2FKSA1 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIKW03N120H2FKSA1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo
Datasheet
IKW03N120H2FKSA1, IKW03N120H2FKSA1 Datasheet (Totale pagine: 15, Dimensioni: 752,27 KB)
PDFIKW03N120H2FKSA1 Datasheet Copertura
IKW03N120H2FKSA1 Datasheet Pagina 2 IKW03N120H2FKSA1 Datasheet Pagina 3 IKW03N120H2FKSA1 Datasheet Pagina 4 IKW03N120H2FKSA1 Datasheet Pagina 5 IKW03N120H2FKSA1 Datasheet Pagina 6 IKW03N120H2FKSA1 Datasheet Pagina 7 IKW03N120H2FKSA1 Datasheet Pagina 8 IKW03N120H2FKSA1 Datasheet Pagina 9 IKW03N120H2FKSA1 Datasheet Pagina 10 IKW03N120H2FKSA1 Datasheet Pagina 11

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IKW03N120H2FKSA1 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
Serie-
Tipo IGBT-
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)1200V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)9.6A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)9.9A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.8V @ 15V, 3A
Potenza - Max62.5W
Switching Energy290µJ
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge22nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C9.2ns/281ns
Condizione di test800V, 3A, 82Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)42ns
Temperatura di esercizio-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitorePG-TO247-3

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Produttore

IXYS

Serie

GenX3™, XPT™

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

66A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

133A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.3V @ 15V, 30A

Potenza - Max

416W

Switching Energy

2.6mJ (on), 1.1mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

69nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

19ns/130ns

Condizione di test

600V, 30A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

195ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247 (IXYH)

RJH60A01RDPD-A0#J2

Renesas Electronics America

Produttore

Renesas Electronics America

Serie

-

Tipo IGBT

Trench

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

10A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 5A

Potenza - Max

29.4W

Switching Energy

130µJ (on), 70µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

11nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

30ns/40ns

Condizione di test

300V, 5A, 5Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

100ns

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-252

Produttore

IXYS

Serie

GenX3™

Tipo IGBT

PT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

75A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

4.4V @ 15V, 30A

Potenza - Max

380W

Switching Energy

1.8mJ (on), 550µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

142nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

17ns/130ns

Condizione di test

600V, 30A, 3Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247AD (IXGH)

FGA50S110P

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1100V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 50A

Potenza - Max

300W

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

195nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-

Condizione di test

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-3P-3, SC-65-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-3PN

NGTB50N60FWG

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

Trench

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 50A

Potenza - Max

223W

Switching Energy

1.1mJ (on), 1.2mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

310nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

117ns/285ns

Condizione di test

400V, 50A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

77ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247

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