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IHW15N120E1XKSA1

IHW15N120E1XKSA1

Solo per riferimento

Numero parte IHW15N120E1XKSA1
PNEDA Part # IHW15N120E1XKSA1
Descrizione IGBT NPT/TRENCH 1200V 30A TO247
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.244
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 21 - giu 26 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IHW15N120E1XKSA1 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIHW15N120E1XKSA1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo

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IHW15N120E1XKSA1 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
SerieTrenchStop™
Tipo IGBTNPT and Trench
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)1200V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)30A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)45A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2V @ 15V, 15A
Potenza - Max156W
Switching Energy300µJ (off)
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge90nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C-
Condizione di test-
Tempo di recupero inverso (trr)-
Temperatura di esercizio-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitorePG-TO247-3

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Produttore

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

PT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

35A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 35A

Potenza - Max

-

Switching Energy

2.66mJ (on), 4.35mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

50nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-

Condizione di test

800V, 35A, 22Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

36ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247AB

FGP30N6S2

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

45A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

108A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 12A

Potenza - Max

167W

Switching Energy

55µJ (on), 100µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

23nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

6ns/40ns

Condizione di test

390V, 12A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220-3

NGTB20N120IHSWG

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

40A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 20A

Potenza - Max

156W

Switching Energy

650µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

155nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-/160ns

Condizione di test

600V, 20A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247

IXGH20N120

IXYS

Produttore

IXYS

Serie

-

Tipo IGBT

PT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

40A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

80A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 20A

Potenza - Max

150W

Switching Energy

6.5mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

63nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

28ns/400ns

Condizione di test

800V, 20A, 47Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

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