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IGZ50N65H5XKSA1

IGZ50N65H5XKSA1

Solo per riferimento

Numero parte IGZ50N65H5XKSA1
PNEDA Part # IGZ50N65H5XKSA1
Descrizione IGBT 650V 50A SGL TO-247-4
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.716
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 4 - mag 9 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IGZ50N65H5XKSA1 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIGZ50N65H5XKSA1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo

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IGZ50N65H5XKSA1 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
SerieTrenchStop™ 5
Tipo IGBTTrench
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)650V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)85A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)200A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 50A
Potenza - Max273W
Switching Energy410µJ (on), 190µJ (off)
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge109nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C20ns/250ns
Condizione di test400V, 25A, 12Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)-
Temperatura di esercizio-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-247-4
Pacchetto dispositivo fornitorePG-TO247-4

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Produttore

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Serie

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Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

25A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

50A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 7A

Potenza - Max

80W

Switching Energy

82µJ (on), 155µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

34.4nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

22.5ns/116ns

Condizione di test

390V, 7A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

37ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AB

RGTV00TS65GC11

Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

650V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

95A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 50A

Potenza - Max

276W

Switching Energy

1.17mJ (on), 940µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

104nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

41ns/142ns

Condizione di test

400V, 50A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247N

NGTB15N120FL2WG

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

30A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 15A

Potenza - Max

294W

Switching Energy

1.2mJ (on), 370µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

109nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

64ns/132ns

Condizione di test

600V, 15A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

110ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247-3

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Produttore

STMicroelectronics

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

650V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

40A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

80A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 20A

Potenza - Max

52W

Switching Energy

77µJ (on), 170µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

120nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

30ns/139ns

Condizione di test

400V, 20A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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600V

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Gate Charge

65nC

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Condizione di test

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Tempo di recupero inverso (trr)

34ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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Pacchetto / Custodia

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