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IGC18T120T8QX1SA1

IGC18T120T8QX1SA1

Solo per riferimento

Numero parte IGC18T120T8QX1SA1
PNEDA Part # IGC18T120T8QX1SA1
Descrizione IGBT 1200V 15A DIE
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.978
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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IGC18T120T8QX1SA1 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIGC18T120T8QX1SA1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo

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IGC18T120T8QX1SA1 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
SerieTrenchStop™
Tipo IGBTTrench Field Stop
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)1200V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)-
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)45A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.42V @ 15V, 15A
Potenza - Max-
Switching Energy-
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge-
Td (acceso / spento) @ 25 ° C-
Condizione di test-
Tempo di recupero inverso (trr)-
Temperatura di esercizio-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaDie
Pacchetto dispositivo fornitoreDie

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Produttore

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

29A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

80A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.75V @ 15V, 10A

Potenza - Max

80W

Switching Energy

600µJ (on), 5mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

33nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

700ns/1.2µs

Condizione di test

480V, 10A, 1kOhm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AB

Produttore

IXYS

Serie

HiPerFAST™

Tipo IGBT

PT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

70A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 24A

Potenza - Max

190W

Switching Energy

320µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

66nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

13ns/110ns

Condizione di test

400V, 24A, 5Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-268

APT25GR120SD15

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

75A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

100A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 25A

Potenza - Max

521W

Switching Energy

742µJ (on), 427µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

203nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

16ns/122ns

Condizione di test

600V, 25A, 4.3Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Pacchetto dispositivo fornitore

D3Pak

STGB35N35LZT4

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

345V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

40A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

80A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.7V @ 4.5V, 15A

Potenza - Max

176W

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Logic

Gate Charge

49nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

1.1µs/26.5µs

Condizione di test

300V, 15A, 5V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

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Serie

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Tipo IGBT

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Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

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Condizione di test

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Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

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Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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