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IDWD40G120C5XKSA1

IDWD40G120C5XKSA1

Solo per riferimento

Numero parte IDWD40G120C5XKSA1
PNEDA Part # IDWD40G120C5XKSA1
Descrizione SIC SCHOTTKY 1200V 40A TO247-2
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.692
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 22 - mag 27 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IDWD40G120C5XKSA1 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIDWD40G120C5XKSA1
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli

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IDWD40G120C5XKSA1 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
SerieCoolSiC™+
Tipo di diodoSilicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)1200V
Corrente - Media Rettificata (Io)110A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If1.65V @ 40A
VelocitàNo Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr332µA @ 1200V
Capacità @ Vr, F2592pF @ 1V, 1MHz
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-247-2
Pacchetto dispositivo fornitorePG-TO247-2
Temperatura di esercizio - Giunzione-55°C ~ 175°C

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Comchip Technology

Produttore

Comchip Technology

Serie

-

Tipo di diodo

Silicon Carbide Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

650V

Corrente - Media Rettificata (Io)

3A (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.7V @ 3A

Velocità

No Recovery Time > 500mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

0ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

100µA @ 650V

Capacità @ Vr, F

190pF @ 0V, 1MHz

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-2 Full Pack

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220F

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 175°C

CLS02(T6L,CLAR,Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

40V

Corrente - Media Rettificata (Io)

10A (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

0.55V @ 10A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1mA @ 40V

Capacità @ Vr, F

420pF @ 10V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

L-FLAT™

Pacchetto dispositivo fornitore

L-FLAT™ (4x5.5)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-40°C ~ 125°C

FR107-AP

Micro Commercial Co

Produttore

Micro Commercial Co

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

1000V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 40V

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

500ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

-

Capacità @ Vr, F

15pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

DO-204AL, DO-41, Axial

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-41

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

VS-303URA250

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo di diodo

Standard, Reverse Polarity

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

2500V

Corrente - Media Rettificata (Io)

300A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.46V @ 942A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

-

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Stud Mount

Pacchetto / Custodia

DO-205AB, DO-9, Stud

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-205AB, DO-9

Temperatura di esercizio - Giunzione

-40°C ~ 180°C

PMEG2010AEH,115

Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

20V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

430mV @ 1A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

200µA @ 20V

Capacità @ Vr, F

70pF @ 5V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOD-123F

Pacchetto dispositivo fornitore

SOD-123F

Temperatura di esercizio - Giunzione

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