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IDT70825L35PF8

IDT70825L35PF8

Solo per riferimento

Numero parte IDT70825L35PF8
PNEDA Part # IDT70825L35PF8
Descrizione IC RAM 128K PARALLEL 80TQFP
Produttore IDT, Integrated Device Technology
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.964
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IDT70825L35PF8 Risorse

Brand IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIDT70825L35PF8
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
IDT70825L35PF8, IDT70825L35PF8 Datasheet (Totale pagine: 21, Dimensioni: 192,62 KB)
PDFIDT70825S35PF8 Datasheet Copertura
IDT70825S35PF8 Datasheet Pagina 2 IDT70825S35PF8 Datasheet Pagina 3 IDT70825S35PF8 Datasheet Pagina 4 IDT70825S35PF8 Datasheet Pagina 5 IDT70825S35PF8 Datasheet Pagina 6 IDT70825S35PF8 Datasheet Pagina 7 IDT70825S35PF8 Datasheet Pagina 8 IDT70825S35PF8 Datasheet Pagina 9 IDT70825S35PF8 Datasheet Pagina 10 IDT70825S35PF8 Datasheet Pagina 11

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IDT70825L35PF8 Specifiche

ProduttoreIDT, Integrated Device Technology Inc
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaRAM
TecnologiaSARAM
Dimensione della memoria128Kb (8K x 16)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina35ns
Tempo di accesso35ns
Tensione - Alimentazione4.5V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia80-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore80-TQFP (14x14)

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IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Dimensione della memoria

64Kb (4K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

17ns

Tempo di accesso

17ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

84-LCC (J-Lead)

Pacchetto dispositivo fornitore

84-PLCC (29.21x29.21)

MT29C1G12MAAIVAMD-5 IT

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH, RAM

Tecnologia

FLASH - NAND, Mobile LPDRAM

Dimensione della memoria

1Gb (128M x 8)(NAND), 512Mb (16M x 32)(LPDRAM)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

200MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

130-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

130-VFBGA (8x9)

IS61VPS204836B-250B3L-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR

Dimensione della memoria

72Mb (2M x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

250MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

2.8ns

Tensione - Alimentazione

2.375V ~ 2.625V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

165-TBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

165-TFBGA (13x15)

70V06L25PF8

IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Dimensione della memoria

128Kb (16K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

25ns

Tempo di accesso

25ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

64-LQFP

Pacchetto dispositivo fornitore

64-TQFP (14x14)

DS1230AB-100

Maxim Integrated

Produttore

Maxim Integrated

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

NVSRAM

Tecnologia

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

Dimensione della memoria

256Kb (32K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

100ns

Tempo di accesso

100ns

Tensione - Alimentazione

4.75V ~ 5.25V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

28-DIP Module (0.600", 15.24mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

28-EDIP

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