IDH10G65C6XKSA1
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| Numero parte | IDH10G65C6XKSA1 | ||||||||||||||||||
| PNEDA Part # | IDH10G65C6XKSA1 | ||||||||||||||||||
| Descrizione | DIODE SCHOTTKY 650V 24A TO220-2 | ||||||||||||||||||
| Produttore | Infineon Technologies | ||||||||||||||||||
| Prezzo unitario |
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| Disponibile | 1.404 | ||||||||||||||||||
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Consegna stimata | mag 18 - mag 23 (Scegli Spedizione rapida) | ||||||||||||||||||
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IDH10G65C6XKSA1 Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | IDH10G65C6XKSA1 |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
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IDH10G65C6XKSA1 Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| Tipo di diodo | Silicon Carbide Schottky |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 650V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 24A (DC) |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.35V @ 10A |
| Velocità | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 0ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 33µA @ 420V |
| Capacità @ Vr, F | 495pF @ 1V, 1MHz |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | TO-220-2 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO220-2 |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
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